サムスン290 層 NAND フラッシュ メモリの開発に関する最近の発表は、 SSD (ソリッド ステート ドライブ) テクノロジー。
この進歩により、特にストレージ容量の点で、SSD が現在直面している制限の一部に対処できる可能性があります。
SSD容量の停滞
SSD は広く普及しているにもかかわらず、その容量は 4 TB でほぼ頭打ちになっており、一部のモデルは 8 TB まで拡張されています。この停滞の一部は、現在の NAND フラッシュ テクノロジーと SSD フォーム ファクターに関連する物理的および技術的制約によるものです。
290 層 V-NAND によるサムスンのイノベーション
Samsung の第 9 世代 V-NAND は、新しい「二重積層」技術を利用しており、同じ物理空間内でより多くの層を実現できます。これにより、ストレージ密度が向上するだけでなく、コストを大幅に増加させることなく向上します。この技術は、層間の電気伝導と相互接続効率を向上させ、よりコンパクトで効率的で、潜在的に大容量の SSD を約束します。
290層を超えた未来
今後を見据えて、サムスンは 430 年までに 2025 層 NAND フラッシュ メモリの開発を目標に限界を押し広げていく予定です。この開発により、現在の 8 TB の制限が打ち破られ、さらに大容量の SSD が提供される可能性があります。
SSD の容量増加を妨げる課題
これらの進歩にもかかわらず、いくつかの課題が残っています。
- フォームファクターの制限: SSD に一般的に使用される M.2 規格は、NAND フラッシュ チップに利用できる物理スペースを制限します。この制限は SSD 内に配置できるチップの数を制限し、その結果、可能な最大ストレージ容量に制限がかかるため、非常に重要です。
- 熱に関する懸念: PCIe 5.0 インターフェイスを備えた高性能 SSD は、動作や耐久性に影響を与える可能性のある重大な熱の問題に直面しています。この問題は、将来の SSD 設計において、新しいコネクタまたは改善された熱管理ソリューションの必要性を強調しています。
- メモリセルの設計: QLC (Quad-Level Cell) や新興の PLC (Penta-Level Cell) などのテクノロジーは、セルあたりのストレージを増やすことができますが、欠点ももたらします。たとえば、PLC は QLC よりもストレージ容量が 25% 増加しますが、速度と耐久性が低下します。このトレードオフにより、多くのアプリケーションにとって魅力が薄れます。
SATAの復活？
SSD のフォーム ファクターと M.2 の制限に関する議論により、業界内には SATA インターフェイスの復活を示唆する人もいます。 SATA SSD は一般に PCIe SSD に比べて低速ですが、同じフォーム ファクタの制限に直面しておらず、より大きなストレージ容量を提供できる可能性があります。
まとめ
NAND フラッシュ メモリにおける Samsung の最新の進歩は、SSD の大容量化を目指す上で有望な発展です。ただし、物理的および技術的な課題を克服するには、メモリ技術の進歩だけでは不十分です。 SSD の設計とインターフェイスの再考が必要になる場合があります。業界が進化し続けるにつれて、より大容量でより効率的な SSD の可能性がますます高まっており、消費者と専門家の両方にとって刺激的な可能性が約束されています。
