Wir haben mehrfach seitwärts über die neue Revolution gesprochen, der sich alle großen Halbleiterunternehmen sowie die derzeitigen Gießereien stellen müssen. Es ist kein anderer als der Paradigmenwechsel in den heutigen Transistoren. FinFET zeigt seit zwei Generationen und Anzeichen von Erschöpfung Samsung hat bereits den ersten Schritt unternommen, um sich mit seiner Position als führend auf diesem Gebiet zu positionieren MBCFET-Technologie und ihre 3nm Welche Verbesserungen bringt es?
Es ist lustig, wie eine Entscheidung über eine Strategie den globalen Markt markieren kann. Beide TSMC, Intel und Samsung werden erneut um den besten lithografischen Prozess von heute und die nächste Zukunft mit 3 nm bzw. 5 nm kämpfen. Über die Dichte hinaus führt der Weg zur Reduzierung der Größe der Transistoren jedoch zu einer Warteschlange bei ihrer Implementierung.
Samsung MBCFET, sein 3nm wird GAA-Transistoren der neuen Generation bringen
FinFET ist eine super ausgenutzte Technologie mit einem Ablaufdatum. Die großen Drei wissen es und Samsung ist das erste Unternehmen, das eine Technologie der neuen Generation zur Verfügung stellt, die Vorteile verspricht, die heute kaum zu glauben sind.
Diese Technologie ist in dem enthalten, was Samsung präsentiert hat Mehrbrücken-Kanal-FET oder MBCFET und wird als Hauptneuheit das Neue integrieren Allround-Tor Transistoren oder auch bekannt als GAA .
Diese neuen Transistoren sind nanoskalig ausgebildet und in ihrer Stapelung als bekannt Nanoblatt or Nanoklingen für die Art und Weise, wie diese Komponenten skaliert werden dürfen, wobei herkömmliche Lamellen teilweise ersetzt werden. Das Stapeln erfolgt in vertikaler Form, wobei das Nanoblatt im horizontalen Format vorliegt, wie die Blätter in einem Druckerpaket.
Dieses System erzielt einen höheren Strom pro Batterie und ermöglicht die Überwindung der aktuellen Probleme, die der FinFET enthält, und seiner Höhe, die TSMC und Intel momentan überwunden haben, deren Stunden jedoch aus offensichtlichen Gründen gezählt wurden.
Vorteile der Samsung MBCFET-Technologie
Samsung nennt drei Vorteile in Bezug auf die Architektur und damit drei Vorteile in Bezug auf die Technologie. Das erste ist, dass MBCFET mit seinem Nanoblatt keinen zusätzlichen Bereich benötigt, um die Geschwindigkeit zu verbessern, da sie vertikal gestapelt werden können, anstatt mehr Rippen hinzuzufügen, wie dies bei der aktuellen FinFET-Technologie der Fall ist.
Der zweite Vorteil ist, dass Samsung bei seiner Erstellung auf aktuellen traditionellen FinFET-Designprozessen basierte. Dies hat einen klaren Vorteil für Designer, da sie FinFET-Designs durch MBCFET ersetzen können ohne Fußabdrücke zu verändern.
Schließlich und in Bezug auf diesen zweiten Vorteil ist MBCFET mit denselben Fertigungsprozesswerkzeugen und -methoden wie FinFET kompatibel (und teilt diese tatsächlich), sodass die Kosten für Ihre Branche minimal sind und die Implementierung sehr schnell erfolgt. Die Frage ist dann angesichts seiner Eigenschaften einfach: Was bedeuten all diese Verbesserungen, wenn wir FinFET mit MBCFET vergleichen?
Beim gleichen lithografischen Verfahren (in diesem Fall 3 nm) hat Samsung sehr klare Zahlen zur Verbesserung des MBCFET geliefert: -50% Energieverbrauch, + 30% Leistungsverbesserung und -45% Flächenreduzierung . Sehr starke Zahlen, die zweifellos ein Vorher und Nachher in den Chips markieren, die es implementieren, so wie es damals bei FinFET der Fall war.
Im Prinzip wird diese Technologie ab 3 für die 2021-nm-Marke des Unternehmens in Serie produziert. 2022 wird der Zeitpunkt sein, an dem sie auf den Markt kommt, und sowohl TSMC als auch Intel müssen sich dagegen behaupten.
Der erste wird es mit 3nm basierend auf FinFET tun, während Intel mit seinem 5nm EUV ein Unbekannter ist. Es wird interessant sein zu sehen, wer die Katze in einem Kampf nicht um die Dichte und Leistung des Knotens, sondern um die Reduzierung der Fläche und des Energieverbrauchs als solchen ans Wasser bringt.
