Samsung ถือกุญแจสำคัญสำหรับกราฟิกการ์ดที่เร็วกว่ามาก

กราฟิกการ์ดใช้ชิปที่เราเรียกว่า GPU ซึ่งมักจะทำงานกับข้อมูลจำนวนมากในเวลาเดียวกัน มากเสียจนต้องใช้ความทรงจำพิเศษในการส่งข้อมูลจำนวนนั้นในเวลาอันสั้น เป็นเวลานานแล้วที่หน่วยความจำที่เราติดตั้งในซ็อกเก็ต RAM ไม่ดีพอที่จะไม่เป็นคอขวดสำหรับชิ้นงานที่ออกแบบโดย NVIDIA, เอเอ็มดี และเมื่อเร็ว ๆ นี้ อินเทล. นั่นคือเหตุผลที่การพัฒนาเชื่อมโยงกับชิปหน่วยความจำ VRAM สิ่งประดิษฐ์ล่าสุดของ Samsung สามารถเปลี่ยนวิธีที่เราคิดเกี่ยวกับกราฟิกการ์ดอย่างสิ้นเชิง มาดูกันดีกว่าว่ามีอะไรพิเศษบ้าง

Samsung นำเสนอหน่วยความจำวิดีโอ GDDR6W

ภายใต้ชื่อของ GDDR6W โดยที่ W ย่อมาจาก Wide Samsung ได้เปิดตัว แรม GDDR6 ชนิดใหม่ ที่เราจะได้เห็นในกราฟิกการ์ดในอนาคตจาก NVIDIA และ AMD แนวคิดคือการซ้อนชิปหน่วยความจำ GDDR6 สองตัวซ้อนทับกัน แต่ไม่ต้องใช้จุดแวะผ่านซิลิคอน . ซึ่งภายในบรรจุภัณฑ์เป็นแบบสองต่อสองเนื่องจากเป็นหน่วยความจำแบบช่องสัญญาณคู่และต้องใช้อินเทอร์เฟซแบบคู่

ด้วยการใช้โหนดการผลิตใหม่ ทำให้ความสูงต่ำกว่า GDDR6 ด้วยซ้ำ แต่มีชิปมากกว่าสองเท่าภายในบรรจุภัณฑ์ อย่างไรก็ตาม ไม่ใช่แค่ความจุในการจัดเก็บข้อมูลที่เพิ่มขึ้นเป็นสองเท่า แต่ Samsung จะติดตั้ง GDDR6W โดยใช้บรรจุภัณฑ์ FOWLP ซึ่งทำให้มีจำนวนพินการสื่อสารเพิ่มขึ้นเป็นสองเท่า ในระยะสั้น:

• GDDR6W มีแบนด์วิธเป็นสองเท่าของ GDDR6 โดยมีพินการส่งข้อมูล 64 พินแทนที่จะเป็น 32
• ความจุสองเท่าของ GDDR6

ทั้งนี้ต้องขอชี้แจงว่า ไม่ใช่มาตรฐานหน่วยความจำใหม่ มันคือ GDDR6 แบบดั้งเดิม แต่มีการห่อหุ้มที่แตกต่างกัน . ดังนั้นผู้ผลิตกราฟิกการ์ดจึงไม่ต้องแก้ไขการออกแบบตัวควบคุมหน่วยความจำบน GPU เพื่อใช้งาน อย่างไรก็ตาม เนื่องจากขนาดแตกต่างกัน จะต้องออกแบบ PCB ใหม่ เช่นเดียวกับการกระจายของฮีตซิงก์

เร็วกว่า GDDR6 ปัจจุบัน

GDDR6W ด้วยการใช้โหนดการผลิตที่ล้ำหน้ากว่า ทำให้ได้ความเร็วสัญญาณนาฬิกาที่สูงกว่า GDDR6 ปัจจุบันมาก โดยสามารถเข้าถึง ความเร็วในการถ่ายโอน 22 Gbps ต่อพิน . ซึ่งสูงกว่า 20 Gbps GDDR6 ของ AMD RX 7900 ที่กำลังจะเปิดตัวในเร็วๆ นี้ ดังนั้นจึงเป็นไปได้มากที่เราจะได้เห็นการใช้งานในกราฟิกการ์ดรุ่นต่อๆ ไปที่จะเปิดตัวในปี 2023