ดูเหมือนจะเป็นอดีตบางทีอาจจะเป็นใครจะรู้ แต่ไม่ว่าในกรณีใดและหลังจากนั้น อินเทลความมุ่งมั่นที่เห็นได้ชัดของการซ้อนภาพ 3 มิติอีกครั้งที่เรียกว่า EDRAM มาก่อน แม้ว่าจะไม่ได้เห็นเทคโนโลยี iGPU ที่แตกต่างกันมาเป็นเวลานาน แต่อาจเป็นกรณีที่เป็นคู่แข่งโดยตรงของ HBM ในแพ็คเกจต่าง ๆ ที่ปรับให้เข้ากับโปรเซสเซอร์ใหม่ คืออะไร eDRAM และ Intel และ เอเอ็มดี นำไปใช้?
ปัญหาของ EDRAM คือมันเป็นแนวคิดที่เป็นรูปธรรม แต่ในเวลาเดียวกันก็ค่อนข้างกว้าง ด้วยเหตุนี้การใช้งานตลอดประวัติศาสตร์จึงแตกต่างกันมากการส่งเสริมชิปที่แตกต่างในรูปแบบใหม่โดยสิ้นเชิง
ดังนั้นมันจึงคุ้มค่าที่จะอธิบายว่ามันคืออะไรและจะช่วยบรรจุภัณฑ์ 3 มิติจากทั้ง Intel และ AMD ได้อย่างไร
EDRAM: หน่วยความจำประเภทค่อนข้างพิเศษและอเนกประสงค์
eDRAM เป็นตัวย่อสำหรับ หน่วยความจำ Dynamic Random Access ที่เพิ่มขึ้น ซึ่งแปลว่าจะเป็น หน่วยความจำ Dynamic Random Access ที่เพิ่มขึ้น . มีลักษณะเฉพาะของความน่าสนใจมากขึ้นอยู่กับชิปใดเนื่องจากไม่เพียง แต่สามารถสร้างหน่วยความจำประเภทนี้ได้ แต่ยังรวมถึงแนวคิดที่กว้างกว่ามากของ แรม.
ซึ่งหมายความว่าเราสามารถเข้าใจ EDRAM จาก SRAM หน่วยความจำไปยังแคชบางประเภท อย่างไรก็ตามพวกเขาทั้งหมดเป็นไปตามรูปแบบเดียวกันคือการเพิ่มหน่วยความจำลงใน PCB และภายนอกไปยังไฟล์ ซีพียู และ iGPU ที่ทั้งสองสามารถเข้าถึงได้
ดังนั้นขึ้นอยู่กับประเภทการใช้งานของชิปที่มีปัญหาผู้ผลิตสามารถเลือกประเภทหน่วยความจำและการเข้าถึงได้ เหตุผลมันมีปัญหาเวลาในการเข้าถึงเนื่องจากมันไม่ได้เป็นส่วนหนึ่งของตายเอง แต่เมื่อต้องการประเภทบัฟเฟอร์หรือการขยายขนาดของแคชเป็นตัวเลือกที่มีประโยชน์มากโดยมีการสูญเสียน้อยที่สุดถ้าขนาดและรีจิสเตอร์ของมันกว้าง .
ขั้นตอนกลางเข้าสู่ RAM ของระบบ
EDRAM เป็นคำจำกัดความชนิดของหน่วยความจำที่ทำหน้าที่เป็นสื่อกลางในหน่วยความจำหลักของระบบ ด้วยการลดขนาดนาโนเมตรของหน่วยความจำประเภทนี้ได้กลายเป็นเลิกใช้ แต่ 3D ซ้อน และจำนวนชิปที่สามารถเก็บไว้ได้ในขณะที่ HBM อาจนำกลับมาเช่นนั้นเป็นบัฟเฟอร์ที่ทั้งสองฝ่ายสามารถเข้าถึงได้
สำหรับสิ่งนี้ทั้ง Intel และ AMD จะต้องมีปัญหาร้ายแรงกับ IC และ IMC ของพวกเขาเนื่องจากจำเป็นต้องมีตัวควบคุมการกระตุ้นขั้นกลางเพื่อควบคุมการเข้าถึง
นี่คือสิ่งที่เราได้เห็นบนคอนโซลเช่น PS2, วียู, Xbox หนึ่ง หรือแม้แต่ Intel ด้วย Haswell ดังนั้นการใช้งานจะมีค่ามากในสถานการณ์ที่แตกต่างกันซึ่งจะเป็นการเพิ่มประสิทธิภาพหรือ จำกัด ข้อ จำกัด ด้วยเหตุผลด้านสถาปัตยกรรมที่หลากหลาย
ในการทำให้เสร็จสิ้น EDRAM เป็นหน่วยความจำที่ค่อนข้างแพงในการผลิตเนื่องจากแบนด์วิดท์ที่ต้องรองรับด้วยเวลาแฝงขั้นต่ำและต้องการอัตราการรีเฟรชเช่นเดียวกับเซลล์ทั่วไปของ RAM ระบบ
ดังนั้นการออกแบบมันและไอซีของมันจึงเป็นกุญแจสำคัญในการทำให้กระบวนการภายนอกง่ายขึ้นทำให้เป็นส่วนที่เป็นอิสระและสามารถเข้าถึงได้จากส่วนต่าง ๆ ของระบบ
