SamsungL'annonce récente du développement de mémoires Flash NAND à 290 couches marque une étape importante dans SSD (Solid State Drive).
Cette avancée pourrait potentiellement répondre à certaines des limitations actuelles auxquelles sont confrontés les disques SSD, notamment en termes de capacité de stockage.
Stagnation des capacités SSD
Malgré la large disponibilité des SSD, leurs capacités ont largement plafonné à 4 To, avec quelques modèles s'étendant jusqu'à 8 To. Cette stagnation est en partie due aux contraintes physiques et techniques associées à la technologie NAND Flash actuelle et aux facteurs de forme SSD.
L'innovation de Samsung avec la V-NAND à 290 couches
La neuvième génération de V-NAND de Samsung, qui utilise une nouvelle technique de « double empilement », permet d'ajouter plusieurs couches dans le même espace physique. Cela augmente non seulement la densité de stockage, mais sans augmentation significative des coûts. La technique améliore la conduction électrique et l’efficacité de l’interconnexion entre les couches, promettant des SSD plus compacts, efficaces et potentiellement de plus grande capacité.
L'avenir au-delà de 290 couches
Pour l’avenir, Samsung prévoit de continuer à repousser les limites avec pour objectif de développer des mémoires Flash NAND à 430 couches d’ici 2025. Ce développement pourrait potentiellement dépasser la limite actuelle de 8 To, offrant des SSD de capacité encore plus élevée.
Défis entravant la croissance de la capacité SSD
Malgré ces avancées, plusieurs défis demeurent :
- Limites du facteur de forme: La norme M.2, couramment utilisée pour les SSD, restreint l'espace physique disponible pour les puces NAND Flash. Cette limitation est critique car elle restreint le nombre de puces pouvant être placées dans un SSD, plafonnant ainsi sa capacité de stockage maximale possible.
- Problèmes thermiques: Les SSD hautes performances, tels que ceux dotés d'interfaces PCIe 5.0, sont confrontés à d'importants défis thermiques qui peuvent affecter leur fonctionnement et leur durabilité. Ce problème souligne la nécessité de nouveaux connecteurs ou de solutions de gestion thermique améliorées dans les futures conceptions de SSD.
- Conception des cellules mémoire: Si des technologies telles que QLC (Quad-Level Cell) et le nouveau PLC (Penta-Level Cell) peuvent augmenter le stockage par cellule, elles présentent également des inconvénients. Les automates, par exemple, peuvent offrir une augmentation de 25 % de la capacité de stockage par rapport aux QLC, mais au prix d'une vitesse et d'une durabilité réduites. Ce compromis les rend moins attrayants pour de nombreuses applications.
La renaissance du SATA ?
La discussion autour des facteurs de forme SSD et des limites du M.2 a conduit certains acteurs de l'industrie à suggérer une renaissance de l'interface SATA. Bien que les SSD SATA soient généralement plus lents que leurs homologues PCIe, ils ne sont pas confrontés aux mêmes limitations de facteur de forme et pourraient potentiellement offrir des capacités de stockage plus importantes.
Conclusion
Les dernières avancées de Samsung en matière de mémoire Flash NAND constituent un développement prometteur dans la quête de plus grandes capacités SSD. Cependant, pour surmonter les défis physiques et techniques, il faudra plus que de simples progrès dans la technologie de la mémoire ; cela pourrait nécessiter de repenser la conception et les interfaces des SSD. À mesure que l’industrie continue d’évoluer, le potentiel de disques SSD plus grands et plus efficaces devient de plus en plus probable, promettant des possibilités passionnantes tant pour les consommateurs que pour les professionnels.
